11、MOSFET电容、缩放及SPICE模型解析

MOSFET电容、缩放及SPICE模型解析

1. MOSFET电容概述

在实际的CMOS数字电路中，传播延迟比载流子渡越时间长约10倍，因此寄生电容限制了开关速度。大部分电容与MOS晶体管本身相关，包括驱动器件和负载器件，偶尔互连电容也很重要。

MOSFET中有两种重要的电容类型：
- 与栅极氧化物相关的电容。
- 与p - n结耗尽区相关的电容。

此外，栅极与源/漏接触之间的边缘电场会引入第三种寄生电容，在深亚微米MOS器件中，这种电容的作用越来越重要。

2. 氧化物电容

氧化物电容分布在整个器件中，且依赖于偏置，精确确定较为复杂。不过，基于特定物理图像可进行简单近似计算。