辐射环境下低轨卫星星座CANFD总线通信的可靠性研究——以ASM1042S2S型抗辐射收发器为例

一、引言

随着全球商业航天产业的快速崛起，低轨卫星星座已成为构建天地一体化信息网络的重要基础设施。以SpaceX星链、OneWeb以及国内多个正在部署的低轨星座计划为代表，成千上万颗卫星需要在轨协同工作，实现星间链路与星地链路的高速数据交互。在这一背景下，卫星平台内部各分系统之间的通信可靠性直接关系到整个星座的服务质量与在轨寿命。

控制器局域网（Controller Area Network，CAN）总线自二十世纪八十年代问世以来，凭借其高可靠性、低成本和优异的容错能力，在汽车电子与工业控制领域获得了广泛应用。随着通信需求的增长，CAN FD（CAN with Flexible Data-rate）协议在保留CAN总线核心优势的基础上，将单帧数据 Payload 从 8 字节扩展至 64 字节，并将数据段波特率提升至 5 Mbps 乃至更高，显著改善了带宽利用率。然而，低轨卫星运行于距地面 200 km 至 2000 km 的近地空间，长期处于由地球辐射带捕获的高能电子、高能质子以及太阳宇宙射线构成的复杂辐射环境中。半导体器件在空间辐射作用下可能发生总剂量效应（Total Ionizing Dose，TID）、单粒子锁定（Single Event Latch-up，SEL）以及单粒子翻转（Single Event Upset，SEU）等典型辐射效应，进而导致通信接口性能退化或功能失效。因此，面向商业航天的 CANFD 通信芯片必须具备充分的抗辐射加固设计，以保障星座系统的长期稳定运行。

本文以国科安芯 ASM1042S2S 型抗辐射 CANFD 收发器为研究对象，系统梳理其电气特性、抗辐射指标及试验验证结果，并围绕低轨卫星星座通信场景中的应用需求展开分析，旨在为商业航天器通信接口的选型与设计提供技术参考。

二、低轨卫星辐射环境特征与通信接口的可靠性挑战

低轨卫星所处的空间辐射环境主要由三部分构成：地球辐射带中的捕获电子与质子、太阳活动引发的高能粒子事件，以及银河宇宙射线。其中，南大西洋异常区（South Atlantic Anomaly，SAA）是低轨卫星遭遇的高辐射通量区域，其内辐射带质子能量可达数百 MeV，对卫星电子系统构成显著威胁。根据 NASA 及 ESA 公开发表的空间环境模型数据，低轨卫星在典型 500 km 轨道高度、约 50° 倾角条件下，硅材料器件每年承受的总剂量约为数十至数百 krad(Si) 量级，具体数值与轨道参数、屏蔽条件及太阳活动周期密切相关。

对于 CANFD 通信接口芯片而言，空间辐射引发的失效机理主要包括以下几类：

（一）总剂量效应。长期累积的电离辐射在栅氧化层中产生陷阱电荷与界面态，导致 MOS 晶体管阈值电压漂移、跨导退化及泄漏电流增加。对于收发器芯片中的模拟前端电路，总剂量效应可能引起驱动能力降低、共模范围收缩以及接收灵敏度恶化，进而影响总线信号完整性。

（二）单粒子锁定。当高能重离子或质子穿过 CMOS 结构的寄生可控硅（SCR）路径时，可能触发闩锁效应，导致电源与地之间形成低阻抗通路，若未及时发现并切断电流，器件将因热失控而永久损坏。CAN 收发器通常工作于 5 V 供电电压，驱动电流可达数十毫安，一旦发生锁定，对整星供电系统的影响不可忽视。

（三）单粒子翻转。高能粒子在敏感节点沉积电荷，可能改变逻辑状态。对于 CANFD 收发器，虽然其主要功能为物理层信号转换，内部逻辑相对简单，但控制寄存器、模式切换电路及欠压检测模块仍可能受到单粒子扰动，导致总线进入异常状态或产生错误帧。

三、ASM1042S2S 芯片的技术特性分析

ASM1042S2S 是国科安芯面向商业航天领域推出的 CANFD 通信接口芯片，采用 VIS 0.15 μm BCD 工艺制造，SOP8 封装，额定工作温度范围为 −55 °C 至 +125 °C。该芯片在设计层面针对空间辐射环境进行了系统加固，其核心技术指标如下所述。

（一）通信协议与速率。ASM1042S2S 符合 ISO 11898-2:2016 及 ISO 11898-5:2007 物理层标准，支持 CANFD 协议数据段最高 5 Mbps 的传输速率。在低轨卫星平台内部，星务计算机、电源管理单元、姿态确定与控制分系统、测控应答机等模块之间通过 CANFD 总线实现指令分发与状态遥测。5 Mbps 的数据段速率可在保持兼容传统 CAN 2.0B 仲裁段（最高 1 Mbps）的前提下，将有效数据吞吐量提升约 5 至 6 倍，对于星座卫星批量生产阶段的大量测试数据回传具有显著效率优势。

（二）电气参数与总线保护。该芯片总线引脚（CANH、CANL）具备 ±70 V 的故障保护能力，共模输入电压范围达到 ±30 V。在卫星平台电磁兼容性（EMC）设计受限、地电位可能存在波动的应用场景中，宽共模范围有助于维持接收器的稳定判决。此外，收发器集成显性超时保护（TXD DTO）功能，当 TXD 引脚因软件故障或单粒子扰动而持续处于显性电平时，内部定时器在 1.2 ms 至 3.8 ms 超时后自动关闭驱动器，防止总线永久占用。芯片同时提供热关断（TSD）及 VCC、VIO 欠压保护机制，进一步提升了在轨异常工况下的生存能力。

（三）I/O 兼容性与低功耗设计。ASM1042S2S 支持独立的 VIO 供电引脚，可配置为 3.3 V 或 5 V 逻辑电平，便于与不同电压域的星载处理器直接对接。在待机模式下，总线与逻辑引脚处于高阻态，典型功耗低至 0.5 μA，对于采用蓄电池加太阳电池阵供电的卫星平台而言，低静态功耗有助于延长阴影期能源续航时间。

四、抗辐射性能试验验证

抗辐射能力的评估依赖于地面模拟试验。ASM1042S2S 已在国内具备 CMA 及 CNAS 资质的第三方试验机构完成了多项辐射效应考核，试验条件与结果如下。

（一）总剂量效应试验。依据 QJ 10004A-2018《宇航用半导体器件总剂量辐照试验方法》，在北京中科芯试验空间科技有限公司完成钴-60 γ 射线辐照考核。试验结果表明，ASM1042S2S 的抗总剂量能力不低于 150 krad(Si)。该指标意味着在典型低轨卫星三氧化二铝屏蔽等效厚度约 3 mm 的条件下，芯片可承受超过 10 年的在轨总剂量累积，满足商业航天中长期在轨任务需求。

（二）单粒子效应试验（重离子）。依据 QJ 10005A-2018《宇航用半导体器件重离子单粒子效应试验指南》，在中国科学院国家空间科学中心可靠性与环境试验中心完成了 Ge 离子辐照试验。辐照条件为 LET 值 37.4 MeV·cm²/mg、注量 1×10⁷ ion/cm²。试验结果显示，在该 LET 值下器件未发生单粒子锁定或单粒子翻转现象，SEL 与 SEU 的 LET 阈值均大于 37.4 MeV·cm²/mg。数据手册标定的 SEL 指标为不低于 75 MeV·cm²/mg，SEU 指标为不低于 75 MeV·cm²/mg 或 10⁻⁵ 次/器件·天，处于商业航天级器件的较好水平。

（三）质子单粒子效应试验。依据 GJB 9397-2018《军用电子元器件中子辐射效应试验方法》及相关质子试验规范，在北京中科芯试验空间科技有限公司完成 100 MeV 能量质子、10¹⁰ p/cm² 通量条件下的单粒子效应评估。质子试验结果进一步验证了该器件在低轨质子辐射环境中的单粒子免疫能力。

（四）脉冲激光单粒子效应扫描试验。依据 GB/T 43967-2024《空间环境 宇航用半导体器件单粒子效应脉冲激光试验方法》及 GJB 10761-2022，在中国科学院国家空间科学中心采用皮秒脉冲激光装置对芯片进行了 LET 等效范围 5 MeV·cm²/mg 至 100 MeV·cm²/mg 的正面辐照扫描。脉冲激光试验作为重离子与质子试验的补充手段，能够在较短时间内定位芯片内部敏感区域，为抗辐射设计的持续优化提供空间分布信息。

（五）在轨飞行验证。ASM1042S2S 已于 2025 年 5 月随 TY29"天仪 29 星"（高光谱地质遥感智能小卫星）及 TY35"天仪 35 星"（光学遥感卫星）发射入轨。根据长沙天仪空间科技研究院有限公司出具的在轨应用证明，芯片自进入太空以来运行正常，接口通信稳定，功能和性能满足卫星在轨应用需求。在轨数据为地面试验结论提供了最直接、最有力的工程验证。

五、低轨卫星星座场景下的应用分析

（一）星载数据总线。在低轨卫星平台内部，星务分系统通过 CANFD 总线实现对电源、姿控、测控、热控等分系统的统一管理与状态监测。ASM1042S2S 的 5 Mbps 数据段速率可支持更高频次的遥测参数下传，对于星座卫星的批量健康状态监控尤为重要。其 −55 °C 至 +125 °C 的宽温工作范围覆盖了卫星在轨经历的高低温交变环境。

（二）星间链路接口备份。部分低轨星座计划采用激光或微波星间链路实现全球无缝覆盖。在星间链路终端的调试、测试及应急备份模式下，CANFD 总线可作为低速指令与状态回传的辅助通道。抗辐射收发器保障了该备份通道在辐射环境下的可用性。

（三）地面测试与发射场测试。商业星座卫星采用批量生产模式，单颗星在出厂前需经历长时间的综合电测试、老炼筛选及环境试验。CANFD 总线作为测试系统与卫星平台之间的标准接口，其收发器的可靠性直接影响测试效率。ASM1042S2S 已通过 AEC-Q100 Grade 1 车规认证，该认证包含高温工作寿命（HTOL）、温度循环（TC）、高加速应力测试（HAST）等多项可靠性考核，为地面测试阶段的高强度使用提供了质量保障。

六、结论

本文围绕低轨卫星星座通信需求，系统分析了空间辐射环境对 CANFD 通信接口芯片的挑战，并以 ASM1042S2S 型抗辐射收发器为例，从通信协议兼容性、电气参数、总线保护机制、抗辐射试验验证及在轨应用证明等维度展开了技术综述。研究表明，ASM1042S2S 在总剂量（≥150 krad(Si)）、单粒子锁定（≥75 MeV·cm²/mg）及单粒子翻转（≥75 MeV·cm²/mg 或 10⁻⁵ 次/器件·天）等关键抗辐射指标上达到了商业航天级器件要求，并已在两颗在轨卫星上获得实际飞行验证。对于正在部署或规划中的低轨卫星星座项目，该芯片可作为星载 CANFD 总线通信接口的候选方案之一，为星座的长期可靠运行提供物理层保障。