Crystec Technology Trading GmbH

Die CLH-Öfen ermöglichen präzises und sauberes Arbeiten bis zu 530 °C dank eines hitzebeständigen Hochleistungsfilters und eines speziell entwickelten Kühlsystems. Dadurch bleibt die Prozesskammer auch bei hohen Temperaturen auf Reinraum-Niveau (Class 100).

Mit zwei leistungsstarken Umluftsystemen seitlicher Luftstrom oder horizontaler Frontluftstrom, bieten die Geräte hervorragende Temperaturgleichmäßigkeit und hohe Energieeffizienz. Durch die Möglichkeit, Stickstoff (N₂) einzuleiten, eignen sie sich perfekt für Anwendungen, die ultra-niedrige Sauerstoffkonzentrationen (≤ 20 ppm) erfordern.

Ideal für Halbleiterwafer, Glas-Substrate und alle wärmetechnischen Prozesse, die höchste Genauigkeit, Sauberkeit und Stabilität verlangen. Eine Spezialversion für die Härtung von nicht-photosensitivem Polyimid ist verfügbar.

Der konvektionsgeheizte Oven Typ INH kann für viele Anwendungen genutzt werden, die eine Erhitzung in sauerstofffreier Atmosphäre erfordern. Diese können neben Schutzgas bzw. Inertgas wie Stickstoff (N2) und Argon (Ar) auch unter Luft betrieben werden. Der Ofen kann beispielsweise für die Temperaturbehandlung von LCD-Gläsern, Temperung von Metallen, Oberflächenhärtung, Trocknung, Temperung und Härtung verschiedenster Materialien eingesetzt werden. Die Erwärmung des Gases erfolgt in einem externen Heizer. Das erhitzte Gas wird dann in einem laminaren Gastrom durch die Ofenkammer geführt. Der Gaseintritt erfolgt durch eine gelochte Ofenkammerwand. Die Größe der Einlasslöcher kann eingestellt werden, um im Ofen eine sehr gute Temperaturgleichmäßigkeit zu erreichen. Das Gas verläßt die Ofenkammer durch die gegenüber liegene, ebenfalls gelochte Ofenwand und wird wieder zurück zum Heizer zirkuliert. Etwas Frischgas wird ständig dem Hauptgasstrom beigemischt und die gleiche Menge von Gas verläßt den Gasstrom wieder über die Abgasleitung. Die Ofenkammer besteht aus Edelstahl und kann mehrere Regalbodenbleche aufnehmen.

Der vollautomatische Reinraumofen Modell SO2 wurde für die Anforderungen der modernen Halbleiter-Massenproduktion entwickelt und bietet höchste Präzision und Effizienz bei thermischen Prozessen. Er eignet sich für fortschrittliche Packaging-Technologien wie Chiplet, 2.xD und 3D und verarbeitet sowohl runde Wafer mit einem Durchmesser von Φ300 mm als auch quadratische Substrate bis zu 600 × 600 mm.

Die integrierte automatische Substrat-Transfermechanik ermöglicht einen schnellen und zuverlässigen Materialfluss. Ein einzelner Roboter bedient zwei Prozesskammern, wobei jede Kammer mit zwei FOUPs ausgestattet ist. Die doppelte Wafer-Handhabung sorgt für besonders schnellen Transfer und unterstützt die Anforderungen der Hochvolumenfertigung. Der Ofen ist vollständig für den Reinraumbetrieb ausgelegt und bietet eine stabile Umgebung für empfindliche Prozesse.

Neben Hochtemperaturanwendungen ist auch die Verarbeitung bei niedrigen Temperaturen möglich, insbesondere für die Aushärtung von Polyimid-Schichten. Typische Anwendungen umfassen die thermische Behandlung von Substraten im Rahmen fortschrittlicher Packaging-Prozesse, die Aushärtung von Polyimid bei FO-WLP und WL-CSP sowie Bake-Prozesse zur Stabilisierung von Materialien und Schichten. Darüber hinaus eignet sich das System für die Entfettung und Vorbehandlung von Glas-, Keramik- und LTCC-Substraten.

Mit seiner Kombination aus Automatisierung, Reinraumtauglichkeit und flexibler Substratkompatibilität bietet dieser Ofen eine leistungsstarke Lösung für die nächste Generation der Halbleiterfertigung.