์ธํ 1103
์ธ๋ผ๋ฏน C1103 ๋ณ์ข
| |
| ๋ฏธ๋์ด ํ์ | 8ย ฮผm p-MOS DRAM |
|---|---|
| ์ฉ๋ | 1 ํฌ๋ก๋นํธ |
| ํ์ค | 18ํ DIP |
| ์ ์์ฌ | ํ๋์ฐ |
| ์ฉ๋ | HP 9800 ์๋ฆฌ์ฆ,[1] PDP-11,[2] MAXC[3] ๋ฐ ๊ธฐํ |
| ๊ณต๊ฐ ๋ ์ง | 1970๋ 10์[4] |
| ๋จ์ข | 1979[5] |
์ธํ 1103(Intel 1103)์ ์ธํ ์ด ๊ฐ๋ฐํ๊ณ ์ ์กฐํ ๋์ ๋จ(DRAM) ์ง์ ํ๋ก(IC)์ด๋ค. 1970๋ 10์์ ์ถ์๋ 1103์ ์์ ์ ์ผ๋ก ์ด์ฉ ๊ฐ๋ฅํ ์ต์ด์ DRAM IC์์ผ๋ฉฐ, ์๊ธฐ์ฝ์ด ๋ฉ๋ชจ๋ฆฌ์ ๋นํด ๋ฌผ๋ฆฌ์ ํฌ๊ธฐ๊ฐ ์๊ณ ๊ฐ๊ฒฉ์ด ์ ๋ ดํ๊ธฐ ๋๋ฌธ์ ๋ง์ ์์ฉ ๋ถ์ผ์์ ์๊ธฐ์ฝ์ด ๋ฉ๋ชจ๋ฆฌ๋ฅผ ๋์ฒดํ์๋ค.[6][1] 1970๋ ์ถ์ ๋น์ ์ด๊ธฐ ์์ฐ ์์จ์ ์ ์กฐํ์ผ๋ฉฐ, 1971๋ ์์ฐ ๋ง์คํฌ์ 5๋ฒ์งธ ์คํ ํ์ ๊ฑฐ์น๊ณ ๋์์ผ ๋๋์ผ๋ก ๊ณต๊ธ๋ ์ ์์๋ค. ์ธํ ์ 1974๋ 6์์ 25๋ง ๋ฒ์งธ 1103 RAM ์นฉ์ ์ถํํ์๋ค.[7]
๊ฐ๋ฐ
[ํธ์ง]1969๋ ์๋ฆฌ์ ๋ ๊ธฐ์ธ ์ ํ๋์ฐ์ ๋๋ฃ๋ค์ 3-ํธ๋์ง์คํฐ ๋์ ๋ฉ๋ชจ๋ฆฌ ์ ์ ๋ฐ๋ช ํ๊ณ ๋ฐ๋์ฒด ์ฐ์ ๊ณ์ ์์ฐ์๋ฅผ ์ฐพ๊ธฐ ์์ํ๋ค. ์ต๊ทผ ์ค๋ฆฝ๋ ์ธํ ์ฝํผ๋ ์ด์ ์ด ์ด์ ์๋ตํ์์ผ๋ฉฐ, ์๋ฆฌ์ ๋ ๊ธฐ์ธ ์ ๊ธด๋ฐํ ํ๋ ฅํ๋ ์กฐ์ ์นดํ์ ์ฃผ๋ํ์ 1102์ 1103์ด๋ผ๋ ๋งค์ฐ ์ ์ฌํ 1024๋นํธ ์นฉ ๋ ๊ฐ์ง๋ฅผ ๊ฐ๋ฐํ์๋ค.[8] ์ต์ข ์ ์ผ๋ก 1103๋ง์ด ์์ฐ ๋จ๊ณ์ ๋ค์ด๊ฐ๋ค.
๋ง์ดํฌ๋ก์์คํ ์ฆ ์ธํฐ๋ด์ ๋์ 1971๋ 1103์ ์ฒซ ๋ฒ์งธ 2์ฐจ ๊ณต๊ธ์์ด ๋์๋ค.[9] ์ดํ ๋ด์ ๋ ์ธ๋ฏธ์ปจ๋ํฐ, ์๊ทธ๋คํฑ์ค (๋ฏธ๊ตญ์ ๊ธฐ์ ), ์๋ํ ๋ํ 1103์ ์ ์กฐํ์๋ค.
๊ธฐ์ ์ ์ธ๋ถ ์ฌํญ
[ํธ์ง]| tRWC | 580ย ns | ์์ ์ฝ๊ธฐ ๋๋ ์ฐ๊ธฐ ์ฃผ๊ธฐ ์๊ฐ (ํ ๋ฒ์ +ve ํ๋ฆฌ์ฐจ์ง ์์ง์์ ๋ค์ ์์ง๊น์ง) |
| tPO | 300ย ns | ์ก์ธ์ค ์๊ฐ: ํ๋ฆฌ์ฐจ์ง ํ์ด์์ ์ ํจ ๋ฐ์ดํฐ ์ถ๋ ฅ๊น์ง |
| tREF | 2ย ms | ๋ฆฌํ๋ ์ ์๊ฐ |
| VCC | 16ย V | ๊ณต๊ธ ์ ์ |
| p-MOS | 8ย ฮผm[10] | ์์ฐ ๊ณต์ (์ค๋ฆฌ์ฝ ๊ฒ์ดํธ MOSFET) |
| ์ฉ๋ | 1024x1 | ์ฉ๋ x ๋ฒ์ค ํญ |
๊ฐ์ฃผ
[ํธ์ง]- 1 2 Mary Bellis (2016๋ 8์ 25์ผ). โWho Invented the Intel 1103 DRAM Chipโ. ThoughtCo.
- โ ใPDP-11/45, 11/50, and 11/55 System Maintenance Manualใ (PDF). ๋์งํธ ์ดํ ๋จผํธ ์ฝํผ๋ ์ด์ . September 1976.
- โ Fiala, Edward R. (May 1978). โThe Maxc Systemsโ (PDF). ใGitHubใ. IEEE Computer Society. 2022๋
10์ 12์ผ์ ํ์ธํจ.
The most significant contributor to reliability has been main-memory error correction. During the first six months of operation, we replaced about 12 failing 1Kx1 MOS RAMs per month (out of a population of 18,432 chips): this has gradually declined to about three failures a month during the last three years. However, because of error correction, a negligible number of these failures has caused crashes.
- โ โDefining Intel: 25 Years/25 Eventsโ (PDF). Intel Corporation. Page 6.
- โ Intel Corporation, "The 1103 retires!", Intel Preview, March/April 1979, page 23
- โ Jacob, Bruce et al. (2008). Memory Systems: Cache, DRAM, Disk. Morgan Kaufmann Publishers. pp. 457โ458.
- โ A Milestone for the 1103
- โ Computer History Museum: "Oral History of Joel Karp" Interviewed by Gardner Hendrie March 3, 2003 | Atherton, California
- โ Tedlow, Richard S. (2006). ใAndy Grove: The Life and Times of an Americanใ. Portfolio. 141โ142์ชฝ. ISBNย 9781591841395.
- โ Lojek, Bo (2007). ใHistory of Semiconductor Engineeringใ. Springer Science & Business Media. 362โ363์ชฝ. ISBNย 9783540342588.
The i1103 was manufactured on a 6-mask silicon-gate P-MOS process with 8 ฮผm minimum features. The resulting product had a 2,400 ฮผm2 memory cell size, a die size just under 10 mm2, and sold for around $21.