在了解GPIO工作原理之前我们需要先对其内部结构进行分析：
首先我们将其分为四个主要部分分别为保护二极管，上/下拉电阻，施密特触发器（TTL肖特基触发器），P-MOS/N-MOS；
1，保护二极管，保护二极管主要是为了保护外部引脚过高或过低的输入，如果引脚输入电压过高（高于VDD）那么上面二极管导通，如果引脚输入电压过低（高于VSS）那么下面二极管导通，从而使电压维持一个较为稳定的值；
2，上/下拉电阻，它们阻值大概在30~50K欧之间，可以通过上、下两个对应的开关控制，这两个开关由寄存器控制。当IO引脚处于一个高阻态的时候，那么就需要上/下拉电阻对其进行控制，如果需要输入高电压时，上拉电阻打开，连接VDD此时呈现高电平，若想要呈现低电平则打开下拉电阻即可；
3，施密特触发器（TTL肖特基触发器），
于标准施密特触发器，当输入电压高于正向阈值电压，输出为高；当输入电压低于负向
阈值电压，输出为低；当输入在正负向阈值电压之间，输出不改变，也就是说输出由高电准位
翻转为低电准位，或是由低电准位翻转为高电准位对应的阈值电压是不同的。
施密特触发器可作为波形整形电路，能将模拟信号波形整形为数字电路能够处理的方波波
形，而且由于施密特触发器具有滞回特性，所以可用于抗干扰，以及在闭回路正回授/负回授配
置中用于实现多谐振荡器。
4，P-MOS/N-MOS，
个结构控制GPIO的开漏输出和推挽输出两种模式。开漏输出：输出端相当于三极管的
集电极，要得到高电平状态需要上拉电阻才行。推挽输出：这两只对称的MOS管每次只有一
只导通，所以导通损耗小、效率高。输出既可以向负载灌电流，也可以从负载拉电流。推拉式
输出既能提高电路的负载能力，又能提高开关速度。
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