使用Maxwell用于互感，自感，内阻的计算

本文介绍了一个利用Codex、PyAEDT和Ansys Electronics Desktop 2025 R2实现双线圈无线充电系统自动建模与仿真的案例。通过简化模型（平面线圈+铁氧体磁芯），完成了从参数化建模、电磁场求解到后处理的全流程自动化，获得了耦合系数（k=0.17）、三维电磁场分布及多周期动态可视化效果。研究发现：线圈间距对传输效率影响最大（10-30mm间距时效率从40.2%降至5.57%），横向偏移15mm会使效率下降35%，而磁芯厚度增加带来的效率提升有限（3→7mm仅提高1.67%）。该框

MaxWell 电磁仿真

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Maxwell生成动态磁力线/磁密云图，一些错误警告解决办法。

本文是用于个人学习记录，如有出错请多多指教！ 太阳能电池板 峰值电压 工作电压 开路电压都是什么意思？怎么区分 峰值电压是在强光时的最高电压； 工作电压是电池板带上负荷时测得的电压；开路电压是电池板空载电压； 峰值电压最高、开路电压次之、工作电压最低。 开路电压指没有接上负载时测量出来的电压,一般情况下,开路电压大于负载电压。即开路电压就是去掉电阻时的电压，也就是电源电动势，即电源电压。开路...

在本例中，低压 A 相绕组 (LVA) 将受到激励，高压 A 相绕组将开路，以确定绕组 LVA 的自感以及由于绕组 LVA 中的电流而导致的绕组 HVA 和 LVA 的互感。绕组的自感：绕组产生的所有磁通量除以在所有其他绕组开路的情况下绕组中产生磁通量的电流。绕组的互感：激励绕组产生的与另一绕组（开路）相连的部分磁通除以激励绕组中产生磁通的电流。绕组的漏感：不连接另一个绕组（短路）的激励绕组产生的磁通除以激励绕组中产生磁通的电流。可以进行类似的测试，通过一次考虑两个绕组来确定其他绕组的电感。

Maxwell，开天辟地，电感仿真。

磁学部分（高斯视频）

编号模型名称核心数学描述关键参数与物理意义应用场景与说明EM1.001​麦克斯韦微分方程组∇·D=ρ, ∇·B=0, ∇×E=-∂B/∂t, ∇×H=J+∂D/∂tD-电通密度(C/m²), B-磁通密度(T), E-电场强度(V/m), H-磁场强度(A/m)所有电磁现象的基本控制方程，集成电路电磁分析基础EM1.002​麦克斯韦积分方程组∮S D·dS=Q, ∮S B·dS=0, ∮C E·dl=-dΦ_B/dt, ∮C H·dl=I+dΦ_D/dtQ-电荷(C), Φ_B-磁通(Wb), I-电流(A

Umn​=mπ4Ud​​Jn​(mπM/2)， 其中m为载波比索引，n为基波带索引，M为调制度，Jn​为贝塞尔函数。主要谐波位于fc​±2f1​， 2fc​±f1​等处。非线性环节的描述函数N(A)=AY1​​ejϕ1​， 其中Y1​， ϕ1​为输出基波分量的幅值和相位。对于简单一维模型，存在一个临界电压Ucr​，当U>Ucr​时，无稳定热平衡解，发生热击穿。对带通信号（中心频率fc​， 带宽B）进行采样时，只要采样频率fs​满足一定条件，可避免频谱混叠，且fs​可远低于2fc​。

编号类型磁学领域关联子领域核心数学方程式/算法模型模型逐步推理思考的数学方程式及数字/数值参数列表时序流程关联知识加工工具/机床/装备及厂商及加工工艺及各类时序流程和各类注意事项Q305纳米尺度磁化DRAM/先进封装磁电随机存取存储器(MERAM)作为DRAM替代磁电系数 α = dE/dH = (λ_s d33)/(ε0ε_r)。其中λ_s为磁致伸缩系数，d33为压电系数。写入电压 V_write = α * H_c * t_piezo，其中H_c为磁性自由层矫顽场，t_piezo为压电层厚度。写入能耗

由 τ = 1/f_0 * exp(E_b/(k_B T_B))， 解得 T_B = E_b / (k_B ln(f_0 τ)) = 5e-21 / (1.38e-23 * ln(1e9 * 3600)) ≈ 363 K / (ln(3.6e12)) ≈ 363 K / 28.8 ≈ 580 K (307°C)。若 N_s=100, A=1e-6 m², l=0.01 m， 则 k ≈ 8 * 1e4 * 100 * 1e-6 * 4πe-7 * 1e5/0.01 ≈ 10 V/T。即 10 μV/nT。

编号类型领域子领域问题问题的数学分析【含尺寸、时间、几何/拓扑/堆叠/材料】算法名称算法逐步推理思考的数学方程式及参数列表及参数的数字/数值和边界分布和边界条件/离散情况及连续性情况关联知识1解析解电磁学静电真空中两个点电荷之间的静电力点电荷间距 r=0.1m；时间无关；几何为两点间直线；材料为真空（相对介电常数 εr​=1）库仑定律直接计算库仑定律：F=4πε0​1​r2q1​q2​​r^ 参数：q1​=1×10−6C，q2​=−2×10−6C，r=0.1m，ε0​=8.854×10−12F/m。

常见的都是闭合线圈的仿真，中间切割一个面，加激励就完事了。可是.......这次我想给一个非闭合导体加激励，怎么加都报错，心灰意冷，查看了很多网上资料，这里做个总结吧！！！ 这里介绍两个方法： （1）将激励面设置在导体端部（激励面与空气域面要重合，不然报错），一端为进一端为出。见下图所示。 两个电流激励的设置，电流大小和类型，必须都一样！ （2）激励面设置在导体内部（跟线圈截面加激励一个道理） 如下图所示： 总结：两种方法的成立，都有一个前提条件：激励面跟求解域面要保持.

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使用 ANSYS Maxwell 19 Maxwell 2D 涡流场怎样设置激励源 定义涡流场时一般有三种激励源： 1. 电流源 2. 并联电流源 3. 电流密度源 1. 首先通过下面步骤，设置求解器的场为涡流场 2. 先选定需要被添加的激励源的物体，然后，通过下面步骤，设置添加 电流激励源 3. 在弹出的 电流源对话框中输入对应的设置数据 4. 同时选定多个物体，可以为多个物体添加并联电流激励源 ...

使用 ANSYS Maxwell 19 Maxwell 2D 怎样设置激励源, 设置激励源的步骤教程 静电场求解器激励源 在静电场中，激励源一般有两种，一种是电流源，一种是电密源。 1. 电流源 施加步骤： 1. 首先选择需要被施加的物体对象 2. 然后按照下面所示步骤施加 点击后，出现下面的属性设置框 分别需要定义的要输入施加电流源的名称与电流大小与电流方向 下面单选框中 Positive 为竖直纸面流出， Negative 为竖直纸面流入 2. 电密源 施加步骤： 1. 首先选择需要被施