RB302B｜晶准 单节锂电池内置 MOS 保护芯片 SOT23‑5

一、产品概述

RB302B 是上海晶准电子推出的单节锂离子、锂聚合物电池保护芯片，芯片内部集成典型 48mΩ 功率 MOSFET，无需外接 MOS 功率器件，采用 SOT23‑5 通用贴片封装。芯片支持耐受 9V 充电器电压，具备三重放电过流检测，集成全套电芯保护，同时支持 0V 充电，能够对深度放空锁死的电芯进行激活恢复。外围电路精简，搭配 1 颗电阻与 1 颗电容即可工作；常规应用电阻取值 470Ω‑2kΩ，点焊场景 R1 需要 1kΩ 以上，电容 C1≥0.1uF，接上电芯实现自动激活，省去额外复位电路，精简 BOM，降低物料采购以及 SMT 贴片成本。芯片满足 RoHS 无铅环保规范，HBM 人体模型静电防护等级 4000V，25℃条件下最大功耗 400mW，适合中小电流、存在点焊工艺的消费类单串锂电池包。

二、关键电气参数

除非特殊说明，测试条件为环境温度 27℃，VDD 供电电压 3.7V。

1. 电压阈值

• 过充检测典型 4.30V，过充解除典型 4.15V；
• 过放检测典型 2.45V，过放解除典型 3.00V。

2. 电流保护（三重放电过流检测）

• 过放电流 1 典型 3.8A，保护延时 6ms，应对普通过载工况；
• 过放电流 2 典型 7A，保护延时 1.5ms，应对瞬时大冲击负载；
• 短路保护典型 11A，保护延时 150μS，端口短路快速切断放电回路；
• 充电过流典型 3.8A，限制充电回路最大输入电流。

3. 功耗指标

• 正常工作模式静态电流典型 1.4μA；
• 休眠模式休眠电流典型 0.3μA，电池长期静置时芯片自身损耗极低，延缓电池自放电亏电。

4. MOSFET 参数

• VM‑GND 导通内阻典型 48mΩ。

5. 温度保护

• 过温保护检测点 155℃，过温释放恢复温度 120℃；芯片结温超标直接切断全部充放电通路。

6. 保护延时

• 过充检测延时 100ms，过放检测延时 100ms；过放电流 1 延时 6ms，过放电流 2 延时 1.5ms；短路保护延时 150μS。

7. 极限电气额定值

• VDD 最大供电 8V；VM 引脚电压‑8V_{11V；工作结温‑40℃}145℃，存储温度‑55℃~145℃。

三、引脚定义（SOT23‑5）

1 脚：NC 空引脚，PCB 设计悬空；
2 脚 GND：芯片地，直接连接锂电池电芯负极；
3 脚 VDD：电芯电压采样引脚，用于检测电池电压，执行过充、过放判断；
4、5 脚 VM：充放电负端检测引脚，双引脚并联，接电池输出负端 P‑，采集充放电、短路电流信号。

外围最简应用配置：电池正极串联 1kΩ 限流电阻接入 VDD 引脚，VDD 引脚与 GND 之间并联 0.1μF 陶瓷滤波电容；VM 引脚直连电池输出负端 P‑。点焊场景 R1≥1kΩ，C1≥0.1uF；电阻实现 VDD 回路限流，电容滤除采样线路高频干扰，保障电芯电压采样稳定。

四、工作模式与保护逻辑

RB302B 拥有正常、充电、放电、休眠四种工作状态，芯片依据电池电压、充放电工况自动切换；具备 0V 充电功能，电池电压低于 2.3V 进入休眠，MOS 管关断，依靠芯片体二极管执行充电，0V 充电工况充电电流必须控制在 200mA 以内，避免芯片与电芯损坏。休眠状态接入充电器就可以自动唤醒，不需要外部复位元件。

1. 正常模式：电池电压、电流全部处于安全区间，充放电通路全部导通，电池可以自由充放电，是设备常规运行状态。
2. 过充保护：充电电压超过 4.30V，持续 100ms 延时后关断充电 MOS，避免电芯过充鼓包。接入充电器条件下电压回落至 4.15V 恢复充电；未接充电器时电压降到过充阈值之下自动恢复；电池电压持续超标，芯片通过内部二极管完成自放电。
3. 过放保护：放电电压低于 2.45V 并维持 100ms，芯片切断放电通路，防止电芯深度过放损伤容量。VDD 电压下降至 2.0V 以下进入休眠；接入充电器，电池电压回升至 3.00V 即可退出休眠恢复工作。
4. 三重放电过流保护：两档放电过流搭配短路保护，不同故障配置独立延时，区分真实故障和瞬时冲击尖峰。3.8A/6ms 处理中等过载；7A/1.5ms 应对大放电冲击；11A/150μS 实现短路快速关断。发生过流或者短路故障后，VM 引脚电平满足复位条件，保护自动解除。
5. 充电过流保护：充电电流大于 3.8A 时关断充电通路；移除充电器或者接入负载，条件达标自动释放保护。
6. 过温保护：芯片内部结温达到 155℃切断充放电全部回路；温度冷却下降至 120℃之后自动恢复工作。

五、PCB 设计要点

1. SOT23‑5 封装最大功耗 400mW，属于中小电流等级，功率回路铜皮需要加宽处理，降低铜皮阻抗与发热，不适合长时间持续大电流负载；VM 两个引脚建议并联使用，减小通路阻抗。
2. VDD 的限流电阻以及滤波电容，器件摆放尽可能靠近 VDD、GND 引脚，缩短采样走线长度，减少噪声耦合，保证电芯电压采样精度；点焊应用 R1≥1kΩ，C1≥0.1uF。
3. VM 检测引脚走线尽量短，远离大电流功率走线，降低走线寄生电阻与开关噪声，保障电流检测准确。
4. 功率走线与采样信号线分开布局，相互远离，规避功率回路开关噪声对电压电流采样带来干扰。
5. 如果产品要使用 0V 充电激活功能，整机硬件需要增加限流电路，保证休眠状态充电电流不超过 200mA。

六、产品核心亮点

1. SOT23‑5 标准通用封装，器件采购、SMT 贴片便捷；内置 MOSFET 无需外接功率管，外围仅一颗电阻一颗电容，接电芯自动激活，针对点焊工艺给出明确阻容选型要求，BOM 方案简洁。
2. 三重分级放电过流架构，区分普通过载、大冲击负载、输出短路故障，各档位配置独立延时，短路响应迅速；芯片可耐受 9V 充电器输入，适配器兼容性强。
3. 功耗表现优异，工作电流 1.4μA，休眠电流低至 0.3μA，对于长期存放的电池产品，最大程度降低芯片自身耗电，缓解电池静置亏电。
4. 支持 0V 充电功能，能够对深度过放锁死的锂电池进行激活修复；全套保护包含过充、过放、充放电过流、短路、芯片过温，保护带延时滤波，抗电压电流尖峰，降低误保护概率；4000V HBM 静电防护，提升整机抗静电能力。

七、典型应用场景

适用于单节锂离子电池组、单串锂聚合物电池组；广泛用于需要点焊工艺的小型数码产品、便携小家电、中小电流消费类锂电设备。

八、产品小结

RB302B 为晶准 SOT23‑5 封装单串锂电集成保护 IC，内置典型 48mΩ 功率 MOSFET，实现三重放电过流检测；工作静态电流 1.4μA，休眠电流 0.3μA，支持 0V 充电，兼容 9V 充电器电压，接电芯自动激活，外围配置一阻一容，对点焊工况有专门的器件选型约束。封装通用性好，休眠功耗优秀，适合带点焊工艺的中小电流单节锂、锂聚合物电池包保护方案。