RB362B｜晶准 单节锂电池内置 MOS 保护芯片 SOT23‑6

一、产品概述

RB362B 是上海晶准电子推出的单节锂离子、锂聚合物电池专用保护芯片，芯片内部集成 50mΩ 功率 MOSFET，无需外接外部 MOS 功率器件。器件采用 SOT23‑6 通用贴片封装，芯片可耐受最高 9V 的充电器输入电压，搭载三重分级放电过流检测机制，具备完整的电芯保护体系，同时支持 0V 充电功能，能够对深度放空锁死的锂电池实现激活恢复。芯片外围电路十分精简，仅配置 1 颗电阻和 1 颗电容即可完成应用，电阻取值范围 470Ω‑2kΩ，电容取值 0‑1uF，接入电芯之后芯片可以实现自动激活，省去额外的复位电路，有效精简 BOM 清单，降低物料采购以及 SMT 贴片加工成本。芯片满足 RoHS 无铅环保要求，HBM 人体模型静电防护等级 4000V，25℃条件下最大功耗 400mW，适合中等电流输出的各类小型消费类单串锂电池包。

二、关键电气参数

除非特殊说明，测试条件为环境温度 27℃，VDD 供电电压 3.7V。

1. 电压阈值

• 过充检测典型 4.30V，过充解除典型 4.15V；
• 过放检测典型 2.45V，过放解除典型 3.00V。

2. 电流保护（三重放电过流检测）

• 过放电流 1 典型 3.8A，保护延时 20ms，应对普通过载；
• 过放电流 2 典型 7A，保护延时 2.5ms，应对瞬时大冲击负载；
• 短路保护典型 11A，保护延时 150μS，端口短路时快速切断放电回路；
• 充电过流典型 3.8A，限制充电回路最大输入电流。

3. 功耗指标

• 正常工作模式静态电流典型 1.5μA；
• 休眠模式休眠电流典型 0.3μA，电池长期静置时芯片自身损耗极低，有效延缓电池自放电亏电。

4. MOSFET 参数

• VM 到 GND 导通内阻典型 50mΩ。

5. 温度保护

• 过温保护检测点 155℃，过温释放恢复温度 120℃；芯片结温超标直接切断全部充放电通路。

6. 保护延时

• 过充检测延时 100ms，过放检测延时 100ms；过放电流 1 延时 20ms，过放电流 2 延时 2.5ms；短路保护延时 150μS。

7. 极限电气额定值

• VDD 最大供电 8V；VM 引脚电压‑8V_{11V；工作结温‑40℃}145℃，存储温度‑55℃~145℃。

三、引脚定义（SOT23‑6）

1、4 脚为 NC 空引脚，PCB 设计直接悬空；2 脚 VM：充放电负端检测引脚，连接电池输出负端 P‑，用于采集充放电、短路电流信号；3、6 脚 GND：芯片地，两路引脚均需要连接锂电池电芯负极；5 脚 VDD：电芯电压采样引脚，用于检测电池电压，执行过充、过放判断。

外围最简应用配置：电池正极串联 1kΩ 限流电阻接入 VDD 引脚，VDD 引脚与 GND 之间并联 0.1μF 陶瓷滤波电容；VM 引脚直连电池输出负端 P‑。电阻实现 VDD 回路限流，电容滤除采样线路上的高频干扰，保障电压采样稳定。

四、工作模式与保护逻辑

RB362B 拥有正常、充电、放电、休眠四种工作状态，芯片根据电池电压、充放电工况自动切换；具备 0V 充电功能，当电池电压低于 2.3V 时芯片进入休眠，MOS 管关断，依靠芯片体二极管执行充电，此工况充电电流必须控制在 200mA 以内，避免芯片与电芯损坏。休眠状态接入充电器即可自动唤醒，不需要外部复位元件。

1. 正常模式：电池电压、电流全部处于安全区间，充放电通路全部导通，电池可自由充放电，为设备常规工作状态。
2. 过充保护：充电电压超过 4.30V，持续 100ms 延时后关断充电 MOS，防止电芯过充鼓包。接入充电器条件下电压回落至 4.15V 恢复充电；未接充电器时电压降到过充阈值之下自动恢复。电池电压依旧超阈值时，芯片通过内部二极管完成自放电。
3. 过放保护：放电电压低于 2.45V 并维持 100ms，芯片切断放电通路，防止电芯深度过放损伤容量。当 VDD 电压下降至 2.3V 以下进入休眠；接入充电器，电池电压回升至 3.00V 即可退出过放休眠状态。
4. 三重放电过流保护：分为两档放电过流加短路保护，不同故障配置独立延时，区分真实故障和瞬时冲击尖峰。3.8A/20ms 应对中等过载；7A/2.5ms 处理大放电冲击；11A/150μS 实现短路快速关断。发生过流、短路之后，VM 引脚电平满足复位条件，保护自动解除。
5. 充电过流保护：充电电流超过 3.8A，关断充电通路；移除充电器或者接入负载，条件达标自动释放保护。
6. 过温保护：芯片内部结温达到 155℃，直接切断充放电全部回路；温度冷却下降至 120℃之后自动恢复工作。

五、PCB 设计要点

1. 该芯片 SOT23‑6 封装最大功耗 400mW，属于中等电流等级，功率回路铜皮需要加宽加厚处理，降低铜皮阻抗与发热，不适合长时间持续大电流负载。
2. VDD 的限流电阻以及滤波电容，器件摆放尽可能靠近 VDD、GND 引脚，缩短采样走线长度，减少耦合噪声，保证电芯电压采样精度。
3. VM 检测引脚走线尽量短，远离大电流功率走线，降低走线寄生电阻与开关噪声，保障电流检测准确。
4. 功率走线与采样信号线分开布局，相互远离，规避功率回路开关噪声对电压电流采样带来干扰。
5. 如果产品要使用 0V 充电激活功能，整机硬件需要增加限流电路，保证休眠状态充电电流不超过 200mA。

六、产品核心亮点

1. 采用 SOT23‑6 通用标准封装，器件采购、SMT 贴片都很方便；内置 MOSFET 无需外接功率管，外围仅一颗电阻一颗电容，接电芯自动激活，大幅简化 BOM 与外围电路。
2. 三重分级放电过流架构，区分普通过载、大冲击负载、输出短路不同故障场景，每一档设置独立延时，兼顾带冲击负载的产品，同时短路响应迅速，安全性高。芯片可耐受 9V 充电器输入，可兼容部分高压余量的适配器。
3. 功耗表现优异，工作电流 1.5μA，休眠电流低至 0.3μA，对于需要长期存放的电池产品，最大程度降低芯片自身耗电，缓解电池静置亏电问题。
4. 支持 0V 充电功能，能够对深度过放锁死的锂电池进行激活修复；全套保护包含过充、过放、充放电过流、短路、芯片过温，保护带延时滤波，抗电压电流尖峰，降低误保护概率；4000V HBM 静电防护，提升整机抗静电能力。

七、典型应用场景

适用于单节锂离子电池组、单串锂聚合物电池组；广泛应用于小型数码产品、便携小家电、中小型消费电子等中等电流的单串锂电供电设备。

八、产品小结

RB362B 为晶准 SOT23‑6 封装单串锂电集成保护芯片，内置典型 50mΩ 功率 MOSFET，实现三重放电过流检测；工作静态电流 1.5μA，休眠电流低至 0.3μA，支持 0V 充电，芯片接电芯自动激活，还可以耐受 9V 充电器电压，外围仅需配置 1 阻 1 容。芯片封装通用性强，过流能力中等，保护功能完整，适合中小型消费类单节锂、锂聚合物电池包保护方案。