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傷があるから、美しくなる

What does a paper reel reduce by 35%? Reading environmental claims through their denominator

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NVIDIAの800 VDC化は既存データセンターをどう変えるのか?

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ROHMのWide-SOA MOSFETを読む――保護回路は「低抵抗」だけでは守れない

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電源回路設計の「職人技」をAIが変える

モータの異常をAIで見つける前に――TDKの新センサが問い直す「何を、いつ測るか」

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ECCE Europe 2026: How to Read Beyond the Peak-Efficiency Number

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AlGaNトランジスタで2.5kV超を報告――研究の耐圧記録を、電源設計の価値へ読み替える

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SiC MOSFETの信頼性は何が特有なのか?Siデバイスとは異なる「故障地図」

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EPCのGaN技術資料が示す多軸化の課題――小型インバータの先にある回生と配線

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電流コラプスは電圧・Duty・周波数・温度にどう依存するのか?

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SiCモジュールの温度は、どこで測るべきか――TDKの新資料から考えるNTC配置

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LLC・CLLC・DABで磁気部品をどう一体化するのか?漏れLと励磁Lを回路要素に変える

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液冷時代に電源と冷却を別々に設計してはいけない理由

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ヒューマノイドのバッテリーは容量よりピーク電力が重要なのか?

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SiCの競争は原料まで遡る――SEMIが参加するReSiLientと「使える再生材」の条件

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なぜLLCはCLLCへ進化したのか――双方向DC/DCのための共振設計

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家庭用蓄電にSiCを使う意味――最大効率より「一日の損失」を見たい理由

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SiCのアバランシェはどこまで信頼できるのか?UIS定格と反復寿命の違い

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16ビットの位置情報は、どこまで正確なのか――Vishayの誘導式エンコーダをロボットの動きから読む

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SEMI Joins ReSiLient: What Makes Recovered Material Usable for Power Semiconductors?

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2026年以降の磁気部品はどこへ向かうのか?GaN・SiC、AI 800VDC、EV、SSTのホットトピック

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SiCだけが答えではない|ROHM、第4世代650V IGBTで1.55Vと7µsを両立

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650VのGaNを800V電源で使うには――両面冷却が変える「熱と電圧」の設計順序

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AI電源の入口が変わる――InfineonとEatonのSST協業を「変換段数」から読み解く

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BMSの配線を減らした先に何が残るか――Dukosi非接触通信と「同じ時刻のデータ」

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医療向けGaN電源は「小さい」だけで選べない――TEAMシリーズから考える熱・ノイズ・使い方

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3300V SiCの価値は「壊れにくさ」をどう設計するかにある――東芝の新モジュールから読む保護協調

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フォトカプラの紙リール化は、何を35%減らすのか――電源部品の環境評価を分母から考える

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平面磁気部品は本当に小型・高効率なのか?PCB巻線と低背コアの実力

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パワー半導体は、ウエハを増やすだけでは届かない――Infineonのタイ新拠点を後工程から読む

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SiCは「最初の低損失」だけでは選べない――しきい値ドリフト低減が問う寿命設計

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100 V・10 μFのMLCCで、本当に部品は半分になるのか――TDK新製品から考える48 V電源の実効容量

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SiCのコストは「削った後」で決まる――摩擦熱を利用する新加工研究と量産への距離

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GaNの電流コラプスはなぜ起きるのか?動的RDS(on)とトラップの正体

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ロボット用GaNドライバーは「電圧」と「時間」で読む――LunaDrive研究が示す制御の論点

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CLLCとDABはどう使い分けるのか?双方向DC/DCの選定基準

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コア損失はどう予測するのか?Steinmetz式・非正弦波・直流重畳の落とし穴

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AIデータセンターの「使える電力」はどこで決まるか――三菱電機Chip-to-Grid設計を読み解く

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Designing the Power That Keeps AI Servers Cool

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Microchipが48V電源の「エネルギー監視」を強化――電流を測るだけでは見えない設計課題

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Lower TVS Clamping Voltage: What Changes in a Real Power Design?

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800 VDCは本当に得なのか?

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Why a 10 MBd Rating Does Not Guarantee Accurate PWM Transmission

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Deltaが800VDCと液冷を統合――AI電源の競争は「効率」から「使える計算能力」へ

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2ゲートをどう操るか――双方向GaNの構造とゲート駆動

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54 V配電はなぜ限界なのか?

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パワー半導体の次の競争は「つなぎ方」へ――onsemiのEPPが問い直す電力密度

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BMW「Neue Klasse」へのROHM SiC採用――航続距離より先に読むべき損失マップ

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100V GaNで48V電源はどこまで変わるか――ルネサス新製品を「FOMの次」で評価する

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