| 编号 |
类型 |
领域 |
参数名称 |
参数所属于的数学方程式 |
参数约束数学方程式 |
参数数值(示例/参考) |
关联参数列表及集合 |
关联知识 |
数学分析与数学推理 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 385 |
材料/电学 |
电学(可靠性) |
偏置温度不稳定性(BTI)中阈值电压漂移的恢复(Recovery)比例 (Rrec) |
在去除应力后,部分被俘获的电荷被释放,V_th 部分恢复。恢复比例 R_rec = (ΔV_th,stress - ΔV_th,recovery) / ΔV_th,stress。R_rec 是时间和温度的函数。 |
受俘获电荷能级分布、界面质量、温度约束。R_rec 影响 BTI 的测量方法和寿命预测。 |
对于先进 HKMG pMOSFET,在室温下,去除应力后 1 秒内,R_rec 可达 30-60%。 |
应力时间(t_stress)、恢复时间(t_rec)、温度 |
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