【信息科学与工程学】【研发体系】第十篇半导体电路设计 126 光学光刻、计算光刻第一部分

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原创 2026-06-23 17:50:09 1k 阅读 AI 写同款· GEO 优化 ›

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表1.126.1 光学光刻成像基础：瑞利准则与部分相干成像

维度	详细说明
编号	1.126.1
核心物理原理/数学描述	1. 瑞利分辨率公式：R = k_1 \frac{\lambda}{NA}，定义了在部分相干照明下，一个投影光刻系统所能分辨的最小半周期（通常为等间距线条/间隔的宽度）。其中， R为分辨率， \lambda为照明波长， NA为投影物镜的像方数值孔径， k_1为工艺因子。 2. 部分相干成像：光刻成像系统非完全相干也非完全非相干。照明光源的空间相干性由部分相干因子 \sigma（西格玛）描述，定义为照明光锥角与物镜孔径角之比。\sigma的取值范围为0（完全相干）到1（完全非相干，对应均匀照明）。 3. 成像过程模型：硅片平面上的光强分布I(x， y)是掩模透射函数M(x， y)、照明光源分布J(f， g)和投影物镜相干传递函数相互作用的结果。可用霍普金斯公式的近似形式表示：I(x, y) \approx \iint TCC(f', g'; f'', g'') \cdot \tilde{M}(f', g') \cdot \tilde{M}^*(f'', g'') \cdot e^{i2\pi[(f'-f'')x+(g'-g'')y]} d

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编号

1.126.1

核心物理原理/数学描述

1. 瑞利分辨率公式：R = k_1 \frac{\lambda}{NA}，定义了在部分相干照明下，一个投影光刻系统所能分辨的最小半周期（通常为等间距线条/间隔的宽度）。其中， R为分辨率， \lambda为照明波长， NA为投影物镜的像方数值孔径， k_1为工艺因子。
2. 部分相干成像：光刻成像系统非完全相干也非完全非相干。照明光源的空间相干性由部分相干因子 \sigma（西格玛）描述，定义为照明光锥角与物镜孔径角之比。\sigma的取值范围为0（完全相干）到1（完全非相干，对应均匀照明）。
3. 成像过程模型：硅片平面上的光强分布I(x， y)是掩模透射函数M(x， y)、照明光源分布J(f， g)和投影物镜相干传递函数相互作用的结果。可用霍普金斯公式的近似形式表示：I(x, y) \approx \iint TCC(f', g'; f'', g'') \cdot \tilde{M}(f', g') \cdot \tilde{M}^*(f'', g'') \cdot e^{i2\pi[(f'-f'')x+(g'-g'')y]} d