4、半导体超快电光开关技术解析

半导体超快电光开关技术解析

1. 开关技术分析

1.1 PISIC技术的局限性

PISIC（Pre - Impulse Step - Injected Current）开关技术虽然能有效减少过渡时间，但会增加振荡行为，导致过冲增大和稳定时间变长。这可能会使半导体光放大器（SOA）达到饱和，并且延长保护时间（即上升时间和稳定时间之和）。在实际应用中，较长的保护时间影响较大，因为过冲会在开关过渡期间使传输的比特发生变形。

1.2 MISIC技术原理与优势

为了减少PISIC技术带来的稳定时间和过冲增加的影响，同时保持其上升时间减少的优势，提出了多脉冲步进注入电流（MISIC）开关技术。其基本原理是，除了在开关脉冲开始时同步注入PISIC脉冲外，还在每个低于稳定水平的光开关脉冲振荡处同时添加短持续时间的电脉冲。这样，每次电脉冲注入所增加的额外载流子能使SOA的光增益瞬间增加，从而补偿振荡，特别是下冲。

MISIC脉冲一般可分为三个主要部分：
- A部分 ：类似于PISIC技术中的预脉冲，主要功能是加速SOA有源区的载流子注入，使SOA在不同工作状态之间更快地转换。
- B部分 ：跟在A部分之后，由用于补偿开关过渡后负振荡（主要是下冲）的脉冲组成，其持续时间应接近SOA的稳定时间。
- C部分 ：用于消除SOA载流子的弛豫，这种弛豫即使在光开关脉冲稳定后也会引起小的光增益波动。弛豫振荡通常幅度较小且频率明确，可通过具有相同频率和反相的脉冲序列进行补偿。添加C部分脉冲还能提高SOA在导通状态下的平均注