首先对自己的应用背景做一下说明，我做的一套系统中电源供电部分需要两块电池切换供电，所以要做一个电子开关，这个开关的耗电要尽量低。一般用到的电子开关可以选择三极管，但是三极管的压降和漏电流是系统所不能接受的。所以就要用到MOS管，其导通压降较小，一般在豪伏级别，导通电阻在百毫欧级别(例如117毫欧)，这样开关在开启后压降不会太大，关闭时漏电不会太大，满足应用。
模电学的不是很好，MOS管的知识基本上也已经还给老师了。只能从网上搜资料，重新看一下。我实验用的管子是IRF9540N，原以为后缀带N的应该是N沟道，没成想这个管子是P沟道的。就P沟道增强型MOS管进行一下说明：
PMOS的特性是当Vgs的值小于一定的值时管子就会导通，适合源极接VCC的情况。下面是增强型PMOS工作特性曲线：
由图可知，Vgs越大，允许的漏极电流越大。管子工作包含四个区：可变电阻区，恒流区，击穿区，截止区，如下图所示：
其中恒流区又叫做饱和区，管子正常工作就在这个区。有两个图可知，当Vgs的绝对值高于4V时管子截止，低于这个值时管子导通。IRF9540N的这个门限值导通值在-2~-4之间，Vgs只有高于4V管子才能截止。但是我做的系统中电源电压在4V以下，所以这个管子其实是不能用的。
附上电子开关的电路图：
当有5V供电时，Vgs绝对值高于4V，管子截止，经过不断地放电，当其电压降到4V以下时，管子导通，电池BAT工作。下面两个电阻可以决定Vgs两端的电压。
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