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前言

最近看完PN结和三极管的科普视频，有一件事没想通。对于NPN型三极管，工作在放大状态时，发射结正偏，集电结反偏。那么问题来了，集电结反偏时，为什么还会产生集电结->发射结的电流？

为了搞清楚这个问题，在网上查了一些资料，并综合自己的理解写下了这篇博客，以备自己以后查阅，同时分享给有同样疑问的人，如果有理解不到位的地方，欢迎指正。

本征半导体

本征半导体（intrinsic semiconductor)是完全不含杂质且无晶格缺陷的纯净半导体称为本征半导体。主要常见代表有硅、锗这两种元素的单晶体结构。

硅原子最外层有4个电子，为了达到最外层8个电子的稳定结构，每个硅原子与相邻的硅原子共享它们最外层的4个电子，组成共价键。处于稳定结构的原子不可自由移动。

本征激发

一般来说，半导体中的价电子不完全像绝缘体中价电子所受束缚那样强，如果能从外界获得一定的能量(如光照、温升、电磁场激发等)，一些价电子就可能挣脱共价键的束缚而成为近似自由的电子（同时产生出一个空穴），这就是本征激发。这是一种热学本征激发，所需要的平均能量就是禁带宽度。

本征激发还有其它一些形式。如果是光照使得价电子获得足够的能量、挣脱共价键而成为自由电子，这是光学本征激发（竖直跃迁）；这种本征激发所需要的平均能量要大于热学本征激发的能量——禁带宽度。如果是电场加速作用使得价电子受到高能量电子的碰撞、发生电离而成为自由电子，这是碰撞电离本征激发；这种本征激发所需要的平均能量大约为禁带宽度的1.5倍。

价电子通过本征激发成为一个自由电子后形成一个带正电的空位，称为空穴（hole），导带中的电子和价带中的空穴合称为电子－空穴对。上述产生的电子和空穴均能自由移动，成为自由载流子（free carrier），它们在外电场作用下产生定向运动而形成宏