DDR4技术原理详解

DDR4是DDR4-SDRAM的简写，即第4代DDR-SDRAM，DDR-SDRAM全称Double Date Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory。本文重点解析DDR4技术规范及其背后的电子电路原理，以及编程使用DDR4过程中需要注意的性能事项。

DDR4数据存储原理

DDR4是从最初的DRAM逐步进化迭代而来，从DRAM到SDRAM、DDR、DDR2、DDR3，最后到DDR4，其背后的数据存储原理始终未变。DRAM作为存储器，其本职功能是存储数据，即计算机世界中的0/1数据，那么DDR又是如何存储0/1数据呢？

DRAM基本单元：cell

DRAM的数据存储策略是电容，电容存储了电量代表1，电容放空电量代表0，同时使用一个晶体管作为电容的充放电开关，以便实现1bit数据的读写，如下图：

 当要读取 cell 的存储值，首先打开电子开关（即晶体管），然后根据电容的充放电信息获得存储值。如果 cell 保存“ 1 ”，即电容存有电荷，那么当打开开关，电容就会放电；如果 cell 保存“ 0 ”，即电容不保存电荷，那么打开开关之后电容不会放电。

当要向 cell 中写入值，仍然先打开电子开关，然后在电子开关的另一侧施加电压。如果要写入“ 1 ”，则施加高电压，此时电流会通过晶体管向电容充电；如果要写“ 0 ”，则让电子开关另一端接地。施加电压一段时间后即可断开开关，此时 cell 已经保存好写入值，因为电容很小，所以施加电压的时间会很短。

一个题外话，SRAM和DRAM同作为可读写存储器，采取了完全不同的数据存储策略，如下图：