DDR中的ODT

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本文详细介绍了ODT(On-Die Termination)电阻端接功能，解释了其如何通过DRAM控制器独立控制DRAM设备的终端电阻，以改善存储器通道的信号完整性。特别指出，ODT功能在ACTIVE和STANDBY模式下可用，但在SELFREFRESH模式下不可用。

ODT电阻端接

ODT (on-die termination)

裸片终端（ODT）功能允许DRAM通过ODT控制引脚为x4 / x8配置的每个DQ，DQS / DQS，RDQS / RDQS和DM信号打开/关闭终端电阻。对于x16配置，ODT通过ODT控制引脚应用于每个DQ，UDQS / UDQS，LDQS / LDQS，UDM和LDM信号。
ODT功能旨在通过允许DRAM控制器独立地打开/关闭任何或所有DRAM设备的终端电阻来改善存储器通道的信号完整性。
请注意：
ACTIVE和STANDBY模式支持ODT功能。
在SELF REFRESH模式下，ODT关闭且不受支持。

ODT的功能描述：
在这里插入图片描述

DDR的直流标准

在这里插入图片描述

标签
#ODT #DDR2
DDR5 的 On-Die Termination（ODT，片上终端匹配）机制
weixin_43199439的博客
06-20 1135
ODT 是一种DRAM 内部可编程电阻终端，用于在读写过程中动态控制内存芯片 DQ/DQS 等信号端的终端匹配电阻（RTT），防止信号反射、提高信号完整性。
【DRAM存储器二十】DDR3介绍-主要功能之ODT
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02-18 1782
详解DDR3的四种ODT功能模式
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（六）DDR协议功能之ODT模式与ZQ校准
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04-16 7340
文章目录一、ODT介绍1.1、Sync ODT Mode1.2、Dynamic ODT1.2.1、Dynamic ODT波形时序参数1.2.2、Dynamic ODT波形时序要求1.3、Async ODT二、ZQ介绍 一、ODT介绍   ODT，ON-Die Termination，具体指在数据通道上对DDR颗粒内部的终端匹配电阻进行打开（使能）的信号。ODT引脚主要用来改善信号质量，每一块Rank都存在一个ODT信号，Rank中的多个mem颗粒公用同一个ODT信号（每一个颗粒都有用一片ODT控制逻辑）。下
关于DDR协议的一些操作的理解3
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3.DDR中的write leaving。2.DDR中的差分信号。
DDR4 Spec 第五章 终端电阻
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介绍了DDR4中的终端电阻
DDR中的POD与ODT
最新发布
SDJ_success的博客
08-10 2425
POD与ODT是DDR高速化的“双引擎”——POD重构电压域以降低能耗，ODT重塑阻抗域以消除反射。在DDR5-6400的6.4Gbps速率下，0.5Ω的ODT偏差或15mV的VTT波动足以引发误码率飙升，唯有将电压控制与阻抗匹配的协同推向极致，方能驾驭数据洪流。控制器驱动DQ线，低电平时NMOS下拉至0V，高电平时释放总线由ODT电阻上拉至VTT。消除反射（Γ = (R_ODT - Z0)/(R_ODT + Z0) ≈ 0）DRAM端启用ODT，控制器端关闭（反射能量被DRAM吸收）
DDR3 ODT
garystone的专栏
08-29 1万+
第一次看到ODT这个东西，真是一头雾水；然后是Termination Rank，FAE解释了几次，也没明白。究其原因，这玩意儿和硬件太相关，而不是纯粹软件的TRUE or FALSE。好歹也是通信工程毕业，号称软硬通吃，怎能被轻易难倒？ ODT，全称On Die Termination。我们先说Termination的概念。一个DDR通道，通常会挂接多个Rank，这些Rank的数
【转】DDR3中的ODT
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DDR中ODT（on-die termination）
daizongjun的博客
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DDR ODT
数字IC那些事儿的博客
11-22 2547
ODT 的核心目标是解决信号反射问题：高速信号（DDR4 最高 3200MT/s）在传输线（CA 总线、DQ 总线）两端阻抗不匹配时，会发生反射、振铃，导致信号叠加失真，影响数据采样准确性。ODT 通过在 DRAM 芯片端提供匹配的终端电阻，吸收传输线末端的信号能量，抑制反射。RTT_WRRTT_NOMRTT_PARKDDR4 的 ODT 技术是高速信号完整性的关键保障，通过片上集成可配置终端电阻，解决了传统外部电阻的灵活性差、一致性低、设计复杂等问题。
DDR之ODT
Skylar
11-07 8618
我们知道使用DDRSDRAM的主板上面为了防止数据线终端反射信号需要大量的终结电阻。它大大增加了主板的制造成本。实际上，不同的内存模组对终结电路的要求是不一样的，终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率，终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低；终结电阻高，则数据线的信噪比高，但是信号反射也会增加。因此主板上的终结电阻并不能非常好的匹配内存模组，还会在一定程度上影响信号品质。DDR2可以根据
DDR3原理(ODT)
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一、 存储器的分类 　　存储器一般来说可以分为内部存储器(内存)，外部存储器(外存)，缓冲存储器(缓存)以及闪存这几个大类。内存也称为主存储器，位于系统主机板上，可以同CPU直接进行信息交换。其主要特点是：运行速度快，容量小。外存也称为辅助存储器，不能与CPU之间直接进行信息交换。其主要特点是：存取速度相对内存要慢得多，存储容量大。内存与外存本质区别是，一个是内部运行提供缓存和处理的功能，也可以理解为协同处理的通道；而外存主要是针对储存文件、图片、视频、文字等信息的载体，也可以理解为储存空间。缓存就是数据
JESD79-4 第5章 片上终结电阻ODT（5.1-5.3）
Hierro的DDR世界
04-19 2万+
5.1 ODT模式与状态列表 5.2 同步ODT模式 5.3 动态ODT模式
搞DDR必懂的关键技术笔记：ODT
叫好与叫座虽然不是对立面，但想在同一个作品中达到双重效果很难。
08-03 1883
在传输线的特性阻抗下对其进行终结是非常重要的。终结技术对于保持信号完整性至关重要，因为它们可以通过最小化信号反射、防止数据损坏以及确保传输线上的可靠通信来实现这一点。在高速设计中，信号以更快的速度传输并遇到更显著的阻抗变化，有效的终结有助于缓解“信号失真、过冲和下冲”等问题。通过匹配线路阻抗并正确终结传输线，设计师可以减少信号反射、控制信号转换并优化通信通道的性能。这在信号完整性至关重要的场景中尤为重要，例如高速数据网络、电信系统和高性能计算环境中。串联终结（Series Termination）
DDR3系列-ODT-差分电容-容性补偿
ltqdxl的博客
05-11 5909
DDR3 系列之 ODT，就是这么任性！ 话说有三个人将被依次执行死刑，分别是牧师、律师、工程师。 牧师第一个被推向绞刑架。侩子手拉动控制杆以抽出活板，但它失灵了。牧师宣称这是上帝的 旨意，要求得到释放，于是他获得了自由。 接着，律师走向了绞刑架。侩子手再一次拉动了控制杆，但它仍然失灵，律师同样要求获得释 放，因为他不能因为同一罪状被判两次死刑，于是他也获得了自由。 最后，轮到工程师了。他上去对脚手架仔细检查了一遍，在侩子手还没动手之前，他抬起头大 声说，“啊哈，是这里出了故障！” 看到这里，大家应该知道结
内存ODT匹配电阻 如何改善信号完整性的工作原理详解
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有趣的是，因为传输线阻抗受温度影响，ODT补偿的时候，也需要根据运行时温度（一般上是越来越热的）来补偿ODT的阻抗，这个步骤通常是PCU来干的。然而，如果我们在纳秒级（十亿分之一秒）的时间尺度上观察电路，会发现一些有趣的现象：在开路的情况下，电流可能会暂时存在，而在短路的情况下，电压可能会暂时下降。当传输线末端开路的时候，信号电压在传输线上传播的时候，就像给一个个并联的电容充电，一节节像末尾穿过去，电荷在一节节电感正极传播，各个导线分节可以看做电荷中继的作用，这样一直到最后一节。，见推荐书籍）的反射。
Driver/ODT DDR
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03-02 1728
ODT 调节原理
DDR功能点 ODT ZQ校准
花信风的博客
03-25 5700
ODT 也是 DDR2 相对于 DDR1 的关键技术突破，所谓的终结（端接），就是让信号被电路的终端吸收掉，而不会在电路上形成反射， 造成对后面信号的影响。 顾名思义， ODT 就是将端接电阻移植到了芯片内部，主板上不再有端接电路。在进入DDR 时代， DDR 内存对工作环境提出更高的要求，如果先前发出的信号不能被电路终端完全吸收掉而在电路上形成反射现象， 就会对后面信号的影响造成运算出错。因此目前支持DDR主板都是通过采用终结电阻来解决这个问题。 由于每根数据线至少需要一个终结电阻， 这意味着每块DDR
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