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英诺赛科(Innoscience)，英诺全球氮化镓(GaN)功率半导体领导者今日宣布其第三代(Gen3) 700V 增强型氮化镓功率器件系列正式全面上市！赛科上市该系列凭借更小尺寸、第代更快开关速度、全面更高效率的提升显著优势，在关键性能指标上实现突破性进展，热管为电源系统设计树立新标杆。理升

核心性能跃升 (相较Gen2.5)

芯片面积缩减30%：通过先进的英诺工艺优化与结构创新，显著提升硅片利用率，赛科上市助力实现更高功率密度设计

开关性能提升20-30%，第代电容降低20-30%：有效降低开关损耗与驱动损耗，全面显著提升系统整体效率

热性能优化：在同等应用条件下，提升芯片壳温可降低3-6°C，热管大幅增强系统长期运行可靠性

丰富封装，理升满足多元需求

全新Gen3 700V系列提供丰富的英诺标准封装选项，满足多元化应用场景需求：

DFN5x6 (极致紧凑)

DFN8x8 (平衡性能与尺寸)

TO252 (通用性强，散热佳)

SOT223 (经典封装)

其中，采用TO252封装的旗舰型号INN700TK100E，其典型导通电阻(Ron)低至74mΩ，突破了传统TO252封装器件的性能极限，可高效支持高达500W的应用功率等级。

应用拓展与升级

得益于更低的导通电阻(Ron)和开关损耗，Gen3 700V系列为以下应用领域带来更高效率、更小尺寸的解决方案：

PD快充/适配器 (尤其高功率)

LED照明驱动电源

智能家电电源

数据中心服务器电源

工业开关电源(SMPS)

为设计创造核心价值

英诺赛科第三代700V GaN技术通过实质性的核心参数优化，为电源设计工程师带来多重价值：

提升系统能效：显著降低开关损耗与导通损耗

优化热管理：降低器件工作温度，提升系统可靠性

节省空间与成本：缩小芯片及系统整体尺寸，减少外围元件需求

简化设计升级：提供与现有方案兼容的标准封装和平滑升级路径

英诺赛科Gen3 700V氮化镓功率器件系列，以其可量化的性能优势——更小的尺寸、更快的速度、更高的效率以及优化的热管理，为电源设计工程师提供了创新的高性能解决方案，是实现更高功率密度、更高系统效率设计目标的理想选择。

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